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<자막 원문>

인터뷰 진행: 이수환 기자

출연: 한양대학교 오혜근 교수

-안녕하세요. 디일렉 이수환입니다. 오늘 한양대학교의 오혜근 교수님 모시고 리소그래피(lithography)의 미래에 관해서 이야기해보는 시간을 갖도록 하겠습니다. 안녕하십니까. 교수님.

“네. 반갑습니다. 오혜근입니다.”

-리소그래피라는 게 한문으로 치면 노광을 얘기하는 거잖아요. 사실 리소든 노광이든 또 다른 말로는 여러 가지로 풀리긴 하는데 리소그래피 공정이 반도체에 어떻게 쓰이는지 설명을 좀 해주시죠.

“일단 아시는 것처럼 리소라는 것과 그래피라는 것이 합쳐서 아마 나중에 동영상이 있을 겁니다만 빛을 이용해서 돌에다가 어떤 모양, 그림을 그리는 걸 우리가 리소그래피라고 얘기합니다. 그래서 그런 것들이 반도체에서는 어쨌든 우리가 그런 메모리든 아니면 에이직이든 어쨌든 칩이라는 거는 트랜지스터 모양을 만들어야 하는데 그 모양을 만드는 것이 리소그래피가 되는 것이고요. 그것을 모양을 어떻게 그다음에 잘 그다음에 많이. 어떻게 작게 만드느냐에 따라서 사실은 계속 작게 만들려고 하는 이유는 작게 만들수록 단가가 싸지고 반도체 성능이 좋아집니다. 그래서 어떻게든지 작게 만들려고 하는 거고 그게 제가 했던 일이고요.”

-작게 만든다는 건 일반인들이 바라봤을 때 28나노보다는 14나노가 더 작은 거고 14나노보다는 10나노, 7나노 이게 더 작은 거고. 작게 만들면 더 높은 성능, 저렴한 가격으로 만들 수 있다는 말씀이신 거 같습니다. 이렇게 작게 만드는 데 한계가 있다는 얘기들이 우리가 일반적으로 많이 하는데요. 리소그래피 같은 경우에는 제가 알기론 과거에 G라인, I라인. 빛의 파장에 따라서 이름을 다르게 붙인 거 같습니다. 한 번 설명해주시죠. 어떻게 발전을 해왔는지.

“일단 사실은 반도체가 1965년 정도에 진공관에서 시작했고 그다음에 바로 트랜지스터 했는데 그 당시 초창기에는 수은 등의 넓은 파장을 쓰다가 그다음에 말씀하신 대로 436nm G라인, 365nm I라인. 이런 수은 방점 등에서 나오는 빛을 쓰게 됐는데 그니까 우리가 빛이라고 하는 것은 일단 우리한테 빛이라는 것이 인류한테 주는 가장 큰 선물은 에너지를 주는 거에요.”

-그 자체가 에너지죠.

“네. 빛 자체가 에너지고 그다음에 예를 들면 붓이 큰 거 갖고서는 큰 글씨를 붓이 작은 거 갖고서는 작은 글씨를 쓸 수밖에 없잖아요. 큰 붓 갖고서 작은 글씨는 못 쓰듯이 파장이 길면 그 파장보다 큰 것들 그래서 파장이 점점 더 짧게 갈려고 하는 건 점점 더 작은 걸 만들려면 작은 붓을 쓰는 것처럼 그래서 작은 파장을 쓰게 된 거죠. 그래서 2000년대 초반까지 1990년대까지는 I라인, 365nm 갖고 하다가 2000년대부터 더 파장이 짧은 248nm 그다음에 파장이 더 짧은 193nm를 쓰다가 그거보다 훨씬 더 파장이 짧은 13.5nm를 사용하고 있죠.”

-파장이 짧다는 건 그만큼 제가 맞는다면 제 이해로는 파장이 짧다면 그만큼 더 많은 에너지를 갖고 있다는 것으로 이해가 됩니다. 근데 EUV 할 때 많은 얘기를 할 때 기존에 썼던 ArF 대비해서 많은 것이 바뀐다고 하는데 이렇게 많이 바뀌는 이유가 무엇인가요?

“제일 큰 이유는 파장이 짧아지면 에너지가 커져요. 에너지가 커진다는 얘기는 양자역학적으로 잠깐만 얘기하면 보통 기저 상태, Ground state는 전자들이 제일 많습니다. 그런 것들이 빛을 받으면 에너지 보존 법칙에 의해서 받은 전자들은 위로 올라가게 돼요. 그니까 에너지 레벨이. 보통 우리가 중학교, 고등학교 때 했던 N, L, M이라고 하는 소위 그 에너지라든지요.”

-기억이 하나도 안 납니다만.

“그런 에너지 레벨이 위로 올라갈수록 그사이 에너지 차이가 작아지고 위로 올라갈수록 전자들이 들어갈 수 있는 방들이 많아져요.”

-에너지를 채울 수 있는 방이 많아진다는 얘기군요.

“전자를 채울 수 있는 방들이 많아진다는 거죠. 즉 그만큼 올라갈 확률이 훨씬 더 커지는 거에요. 이게 전자들이 올라갈 확률이 커진다는 얘기는 올라갈 때 빛을 흡수한다고 방금 말씀드렸거든요. 그러니까 에너지가 커지면 방들이 많아져서 전자들이 많이 올라갈 수 있고 그 결과로 빛을 많이 흡수하게 되는 겁니다. 따라서 제가 조금 더 말씀드리면 상대적으로 193nm짜리보다도 13.5nm EUV짜리가 15분의 1로 더 작아져서 이 세상에 있는 모든 물질에서 빛을 많이 흡수해요. ArF인 경우에는 투과하는 것들이 있었어요. 근데 EUV는 투과하는 물질이 거의 없어요. 따라서 ArF까지는 우리가 렌즈를 써서 노광 장비를 만들었는데 EUV는 거울을 써야 합니다.”

-반사한다는 것이죠?

“네. 반사하는 이유가 표면에서만 살짝 들어갔다 나오기 때문에 흡수를 고민 안 해도 되기 때문에 그래서 반사인 거울 쓴다는 것. 즉 어찌 됐든 EUV에서 제일 큰 문제는 흡수를 많이 한다.”

-그게 아까 말씀하셨던 그만큼 빛을 흡수하는 그니까 에너지를 흡수하는 성향이 그 방들이 있어서 기존하고 많이 달라진 것이군요. 그러면 EUV가 13.5nm를 쓰고 말씀하신 것처럼 여러 가지 특성들을 가지고 있는데 이게 어느 정도까지 향후 반도체 공정에 사용할 수 있을까요?

“아주 크게 얘기하면 아직도 I라인이 쓰이고 있거든요.”

-그건 아직 레거시 공정들 위주로 쓰이는 거죠?

“어차피 지금 반도체는 우리가 서른 개의 층이 있는데 그중에서 중요한 제일 짧은 몇 가지가 크리티컬 레이어인데 그것들은 EUV 같은 제일 작은 걸 만들고 그 30개 층 중에서 5개든 10개든 큰 것들도 있거든요. 걔네들은 I라인 갖고 합류하려니까 지금 만들고 있어요.”

-이미 여러 가지 노광 장비를 섞어서 쓰는 거군요.

“네. 그렇게 쓰고 있습니다. 따라서 파장이 짧아지는 EUV에 언제까지 갈 거다. 그건 아마 영원히 갈 거에요.”

-그니까 반도체라는 게 존재하는 이상 지속해서 계속 갈 수밖에 없다.

“네. 단지 EUV보다 더 짧은 것이나 다른 대체 물질이 언젠간 나올 수 있겠죠.”

-혹시 그런 것들이 학회에서도 언급이나 논의가 되고 있습니까?

“그럼요. 많이 언급되고 있지만, 이건 좀 다른 얘기입니다만 제가 리소에서 30년 있으면서 5년 후를 제대로 예측해본 적이 없어요. 전문가들이. 따라서 아주 조심스럽게 5년 후에도 EUV가 양산에 쓰일 건 단정 지어 말씀드릴 수 있지만, 그다음에 새로운 게 후보는 물론 있습니다.”

-후보는 어떤 것들이 있습니까?

“예를 들면 원자를 쓴다든가.”

-단어가 특별히 EUV처럼.

“예를 들면 우리가 Atomic Force Microscope라고 해서 줄여서 우리가 AFM이라고 하는 것 혹은 Scanning Tunneling Microscope라고 해서 STM이라고 하는 것. 그래서 원자 단위를 볼 수 있는 것들이거든요. 원자 단위를 볼 수 있으면 그릴 수 있는 거기 때문에 단지 이것의 문제는 너무 느린 거죠.”

-속도가 느리군요.

“엄청 느린 거죠. 그래서 쉽진 않은데 만약에 지금 반도체 성능이 더 좋아지고 컴퓨터가 더 좋아져서 계산 속도가 100배 1,000배 빨라진다면 그러면 원자들 장난하는 것도 빨라질 수 있으니까 뭐가 더 빨라질지는 모르죠.”

-그러면 일반인들이 봤을 때 EUV를 갖고 물론 ArF를 갖고 자원만 넉넉하면 7나노 이하의 칩도 만들 수 있다는 걸 이해하는 거 같습니다. 그럼 만약에 EUV를 갖고 몇 나노 공정까지 칩을 만들어 볼 수 있을까요?

“그것도 우리가 흔히 얘기하는 7나노, 5나노, 3나노도 노드 하는 거 전부 다 인텔이나 TSMC 같은 우리 같은 메모리가 아닌 에이직 하는 사람들에서 고립된 한 작은 게이트 콥을 얘기하기 때문에 사실 저희처럼 메모리 위주로 라인 앤 스페이스를 갖다가 할 경우엔 이거보다 훨씬 더 패턴이 커요. 그래서 우리가 예를 들어 3nm 노드라고 하면 우리 메모리 라인 앤 스페이스 하는 건 16nm급이 되거든요.”
-서로 다르군요?

“네. 그래서 그건 분명히 구별해야 하는데 그래서 메모리에서도 양자 역학적으로. 그 양자 역학 법칙에 어긋나지 않는 것도 라인 앤 스페이스가 2나노, 3나노. 2나노 라인 앤 스페이스도 양자 역학적으로 소자에 문제가 없다고 알려져 있거든요. 그니까 거기까지도 갈 겁니다.”
-메모리 반도체에서도 2나노, 3나노까지 EUV를 쓸 수 있을 것이다. 그 이유는 잘 모를 수 있지만, 그러면 많은 부분이 바뀔 거 같습니다. 저희가 ArF에서 EUV로 넘어왔을 때 말씀하신 대로 진공 상태에서도 빛을 흡수하는 성격이 없었던 거울이 필요해지게 되고 했는데 만약에 EUV가 이후에 메모리 반도체에 본격적으로 쓰이게 되면 여러 가지 소부장 생태계도 많이 바뀔 거 같습니다. 어떤 부분들이 큰 변화가 있을까요?

“사실 이게 EUV 13.5nm는 반도체에서도 2019년 말에 거의 쓰여서 1, 2년밖에 되지 않은 아주 새로운 거긴 합니다만 이 EUV라는 걸 쓰는 게 물리뿐만 아니라 전체 과학계가 처음 접한 것들이 많아요. 예를 들면 EUV에서 지금 펠리클이라는 걸 쓰느냐? 마느냐? 하는데 가장 큰 이유가 아까도 말씀드린 대로 EUV에서는 흡수를 많이 해서 그래서 만약에 EUV를 통과해야 하는 그런 필요가 있을 때는 아주 수십 nm 이하로 얇은 막을 만들어야 해요. 그니까 두께는 얇은데 크기는 엄청나게 커야 하는 거죠. 그래서 그런 박막을 인류가 그니까 다뤄본 게 처음이에요.”

-처음인가요? 그걸 다루는 분야가.

“예를 들어서 그래핀 같은 게 있긴 하지만, 그래핀은 EUV 잘 못 다루고 있거든요. 아직. 그리고 그렇게 흡수를 엄청 많이 하는 물질 중에서도 그래도 통과 조금 더 잘하고 싶은 물질. 그래야지 좋은 PR이 되거든요. 그니까 그런 PR도 아직 우리가 원하는 만큼 없어요. 그니까 그런 재료적인 거 그런 박막적인 특성 그다음에 이런 것들을 우리가 보고 재고 측정하는 그런 장비들.”

-아직은 없죠.

“그니까 만들고 있죠. 그니까 상업적으로 쓸 수 있는 게 없긴 하지만, 만들고는 있고 장비가 일부 있긴 합니다. 근데 그런 모든 것들이 과학적으로 기술적으로도 인류가 처음 해본 거라서.”

-그전에는 해본 적이 없었기 때문에.

“그런 것들을 할 필요성이 없었죠. 전에는”

-그럼 반도체가 어떤 과학적인 선구자 역할을 하고 있다고.

“이 분야에서는요.”

-이 분야에서만큼은. 과거에 ArF가 193nm의 빛의 파장을 갖는데 점점 미세 공정의 난도가 올라가니까 한 번에 안 그려지니까 두 번, 세 번, 네 번씩 그리지 않습니까? 혹시 EUV에서도 그런 식의 기술적 변화가 가능할까요?

“그니까 말씀드린 대로 13.5nm보다 작은 걸 만들려면 나중에 말씀드릴 기회가 있겠습니다만 파장보다 작은 거를 만들려면 우리가 초 해상도 기술이라는 걸 써야 합니다.”

-초 해상도 기술이요?

“네. 그래서 위상변이 마스크라든가 이런 걸 써야 하는데 이것도 EUV에서 쓰고 있거든요.”

-이미 쓰고 있습니까?

“네. 쓰고 있습니다. 근데 그것을 이용해서도 예를 들면 13.5nm의 절반인 6, 7nm 패턴이 된다고 하더라도 아까 제가 잠깐 말씀드린 2, 3nm도 가능하다고 말씀드렸잖아요. 그걸 하려면 더블 패터닝, 쿼드러플 패터닝, 옥타플 패터닝을 EUV에서도 쓸 겁니다.”
-시점은 어느 정도로 보면 될까요?

“그건 2030년, 2035년.”

-아직은 멀었군요. 하지만 기존에 우리가 노광 장비 기술들에서 썼던 기술들도 EUV에서 광원이 바뀌고 난 다음에 똑같이 쓰일 것이다?

“네.”

-최근에는 EUV 말고도 차세대 리소에 대한 관심들도 좀 많은 거 같습니다. 교수님 나중에 설명해주시겠지만, 나노임프린트나 DSA(Directed Self-Assembly) 같은 종류의 기술도 있는데 어떻게 전망하시는지요?

“그런 나노임프린트나 DSA는 현재까지는 불행하게도 EUV 대체를 못 하고 있습니다.”

-그럼 계속해서 EUV가 앞서서 나가는 상황이군요?

“근데 둘 다 제일 큰 이유는 Defect, 결함을 갖다가 우리가 원하는 만큼 조절하기가 쉽지가 않아서.”
-그게 조절이 상당히 어려운가 보군요? EUV는 어느 정도 제어가 가능한가요? 그런 불량에 대해서.

“그니까 상대적으로 원리상 나노임프린트는 직접 마스터 몰드하고 웨이퍼가 만나야 해요. 그니까 DSA도 그걸 그냥 뿌려야 하는데 거기서 하나라도 잘못되면 전체 웨이퍼를 다 버려야 하거든요.”

-다 버려야 합니까?

“네. 상대적으로 EUV는 그럴 소지가 적은 거고요.”

-기존에 써 왔던 노광 기술이기도 하고 빛의 파장이 다르긴 하지만. 그러면 EUV 외에 다른 리소 기술들은 상용화가 좀 어렵다고 봐야 할지요?

“아직도 열심히 하고 있긴 합니다만 있다가 없다가 가능성이 또 생겼다 안 생겼다. 하고 있긴 합니다만 적어도 제가 아는 가까운 미래에는 반도체를 만드는 데는 서른 몇 개 층을 쌓아야 하는 반도체를 만드는 데는 5년 내로는 쉽지 않지 않을까.”

-5년 내로는 쉽지 않다. 아까 메모리 반도체와 EUV 말씀을 좀 해주셨는데 시스템 반도체와는 구별해야 한다고도 말씀해주셨고. 메모리 반도체에서 EUV가 적용되면 저희 영상에서도 굉장히 큰 산업계나 학회에서 큰 변화가 있을 거라는 예상을 하고 있는데요. 메모리 반도체에 EUV가 적용되면 어떤 점들이 크게 바뀔 수 있는지 말씀을 좀 해주시면 좋겠습니다.

“상대적으로 EUV를 갖다가 저희 메모리보다는 TSMC나 인텔 같은 곳에서 먼저 쓰고 싶어 했어요. 근데 그 이유가 조금 더 상대적으로 아까 말씀드린 대로 보다 가느다란 한 선. 게이트 폭을 만든 거에서는 훨씬 더 그런 에이직이나 로직에서도 유리했었기 때문이고 메모리같이 이렇게 반복된 패턴이 쭉 있는 거는 상대적으로 더블 패터닝같이 아니면 쿼드러플 패터닝이 상대적으로 비싼 EUV 장비보다는 더블 패터닝이 초창기에는 쌀 수 있었거든요.”
-두 번 그려주는 게 쌀 수 있었다. 왜 그런 겁니까?

“일단 EUV 장비가 쉽지 않았었고 초창기에는 너무 비쌌으니까.”

-한 번 그리는 거보다는 두 번 그리는 게 오히려 더 쌌다?

“ArF 장비가 상대적으로 4분의 5분할밖에 안 하니까 ArF 장비 두 대를 쓰는 게 EUV 장비 한 대 쓰는 거보다 싸니까. 근데 더블 패터닝은 노광 장비뿐만 아니라 에칭 장비도 있어야 했고 그러다 보니까 다른 것도 필요해서 이제는 EUV 장비 한 번 쓰는 게 ArF Immersion 두 번 쓰는 거보다 싸니까.”

-그게 바뀐 시점이 어느 시점인가요?

“그게 지금 양산 시작한 때라고 보시는 것처럼.”

-인제야 ArF 두 번 더블 패터닝한 거보다 EUV 한 대가 더 싸지는 시점이 이제야 도래하게 된 거군요. 그런 쿼드러플까지는 어떻게 좀 봐야 할까요? 이후에는.

“아직은 아마 정신들 없어서 언제 들어갈 거란 생각은 안 하실 거에요.”

-메모리 반도체 적용하게 되면 EUV 장비, 메모리 반도체가 훨씬 더 양이 많지 않습니까? 그러면 거기에 관련해서 기업들이 원하는 EUV 기술 같은 것들이 좀 있을 텐데요. 어떤 것들을 주로 얘기하고 있습니까?

“지금 일단 EUV에서 제일 큰 문제 중 하나는 EUV 펠리클이고요.”

-펠리클. 마스크 보호를 위한 펠리클.

“말씀드렸다시피 아까 나노임프린트나 DSA로 우리가 양산에 못 쓴다 했던 이유가 결함, defect 때문이라고 말씀드렸거든요. 지금 불행히도 EUV 노광을 진공에서 하고 있습니다만 여전히 이쪽저쪽에서 불순물들이 날아다니고 있어요.”

-진공했음에도 불구하고.

“그니까 진공이라는 게 예를 들어 10의 마이너스 100승 토르가 아니거든요. 10의 마이너스 펄스 9승 토르이기 때문에. 그니까 우리가 딴 거 대비 뭐가 없는 거지 완전한 0.”
-아주 깨끗한.

“네. 그런 거를 만들 수는 없거든요.”

-어찌 됐든 간에 뭔가 떠다니고 있고.

“챔버 벽에 달라붙어 있던 거라든가 물이 또 달라붙어 있던 거라든가 등등 아니면 소스에 있던 카본 같은 게 달라붙든가 아니면 마스크에서 아니면 PR에서 아니면 거울에 있는 물질들이 에너지가 쎈 EUV를 맞아서 튀어나오는 것들이라든가 그런 것들이 노광 중에 처음엔 없더라도 생길 수가 있거든요. 근데 말씀드렸다시피 반도체에서 제일 중요한 건 쭉 만들고 있는데 마스크에 하나 결함이 되면 마스크 하나 갖고서 심하면 수십만 장의 웨이퍼를 찍어야 하는데.”

-그러니까요. 마스크가 또 비싸다고 들었습니다.

“비쌀뿐더러 하나 사는데 수십만 장 웨이퍼면 정말로 수백만 불이거든요. 그냥 수백만 달러 날아가는 거기 때문에 그런 의미에서 다른 것도 쭉 이제까지 ArF까지도 그랬습니다만 그렇게 defect control을 해서 수율을 높이는 것. 그게 양산에서는 제일 항상 중요한 것이기 때문에. 메모리에서도 과연 아까 말씀드린 대로 ArF Immersion 더블 패터닝 대비 EUV 싱글 패터닝이 수율이 어떨 거냐?가 좌우하겠죠.”

-이제부터 본격적으로 EUV가 쓰이는 시대가 될 텐데 여전히 장비 가격이 많이 비싸지 않습니까?

“그렇죠.”

-또 펠리클이라는 전혀 다른 쓰지 않았던 소재도 써야 하고요. 원가 절감이나 이런 부분들에 대한 기술적 진보는 어려운 겁니까?

“아직 시작 단계니까 뭐든지 양산을 하면 정말로 싸지겠죠.”

-예전에도 저희가 EUV 얘기할 때 High NA나 장비 가격이 가면 갈수록 엄청나게 비싸지더라고요. 지금 EUV 장비가 2천억 원 내외라고 하는데 이후에 나오는 장비들은 세 배, 네 배 이렇게 비싸지게 되는데 아직 처음 쓰는 기술이니까 특별하게 뾰족한 방법은 없는 거군요?

“그렇습니다. 지금은 이게 옛날 기억을 조금 되살리면 옛날에 일본의 니콘이 노광 장비 시장의 60%, 70%를 하고 있었을 때는 그래도 나머지 30%, 40%는 다른 회사들이 있었거든요.”

-뭔가 경쟁 구도 있었겠죠.

“그래서 어찌 됐든 니콘 장비 세 대 살 때 다른 회사 장비 한 두 대 살 수 있었거든요. 그거 갖고서 가격도 네고가 가능했었고. 근데 지금은 한 군데밖에 없으니까.”
-ASML밖에 없으니까. 새로운 노광 장비 회사가 EUV에 뛰어들긴 좀 어렵죠?

“제 생각에는 간혹 저도 봅니다만 왜 한국에선 1위 못 만드냐는데.”

-그런 질문들이 좀 많습니다.

“솔직히 지금 어차피 국제적으로 협업해서 ASML 장비도 만들고 있는 거기 때문에 그걸 지금 따로 만들려고 노력하는 거보다는. 그게 경제적으로도 훨씬 돈이 많이 들고요.”

-돈이 많이 들기 때문에 국제 협업 프로젝트가 돼버린 거 같네요.

“그런 거죠. 국가에서 삼성이 그다음에 SK하이닉스가 조금이지만, 주식 갖고 있고 그런 식으로.”

-그런 식으로. 모르겠습니다. 쫀쫀히 협업하는 협동체? 협동조합? 이런 식의 느낌이 좀 강한 거 같습니다. 그럼 교수님 보시기에 향후 리소그래피의 전반적인 미래랄까? 어떻게 좀 그려보고 계신지요?

“이게 EUV라고 하는 것이 이제 시작한 지 1년 됐고 그다음에 계속 반복해서 말씀드렸습니다만 반도체를 갖다 만드는데 서른 몇 개 층에서 EUV를 많아야 다섯 개 층을 쓰는데 그게 점점 더 많아지겠죠.”

-다 전면 EUV를 도입.

“쓸 필요는 없습니다. 말씀드린 대로 아직도 예를 들면 10nm 반도체라고 하더라도 그 10nm 반도체는 서른 몇 개 중에 네다섯 개밖에 안 되거든요. 그니까 나머지는 더 큰 것들이 있어서 여전히 248이든 193이든 그런 장비로 큰 것들은 써야 합니다.”

-메모리 반도체도 마찬가지인 거죠?

“마찬가지인 거죠.”

-마찬가지군요. 그러면 메모리 반도체에서 아까 말씀하신 대로 5개 층 정도 EUV가 쓰이고 있다고 하셨는데 몇 개 층 정도까지 써야 하는지.

“그거는 소자가 앞으로 어떻게 구조가 달라지느냐에 따라서 아니면 입체적으로 3D를 어떻게 쌓느냐에 따라서 다른 얘기가 되긴 하겠습니다만 글쎄요. 그거는 솔직히 전 잘 모르겠어요.”

-일단 5개 층까지는 현재 쓰이고 있는 것이군요. 쓰면 쓸수록 원가 절감이나 이런 것들이.

“물론 아까 말씀드린 대로 이제는 ArF Immersion 더블 패터닝보다 그래도 EUV 싱글 패터닝이 쌓이거든요.”

-알겠습니다. 리소그래피라는 게 굉장히 어려운 분야고 발전해야 할 부분들이 좀 많은 거 같은데 오늘 한양대학교 오혜근 교수님 모시고 리소그래피의 과거와 현재, 미래에 대해서 알아봤습니다. 오늘 교수님 감사합니다.

“고맙습니다.”

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